项目信息:
建设内容
主要产品 建筑面积约85171㎡,新建第三代半导体碳化硅衬底产业化基地,新建满足400台单晶生长炉生长.加工.清洗和检测的厂房1座并建立配套的动力站.科研楼等配套用房
项目简介
本项目位于北京市大兴区新城东南片0605-022c地块,由北京天科合达半导体股份有限公司投资建设。建筑面积约85171㎡,新建第三代半导体碳化硅衬底产业化基地,新建满足400台单晶生长炉生长.加工.清洗和检测的厂房1座并建立配套的动力站.科研楼等配套用房
项目投资额199234.5万元。
进展动态
2023-11-06 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(方案设计、初步设计、施工图设计)招标公告
2023-09-20 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(方案设计、初步设计、施工图设计)
2022-01-30 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目列入北京市2022年重点工程计划
业主方及其联系方式 注册登陆后查看
地址:注册登陆查看
项目负责人:注册登陆查看
联系方式:注册登陆查看
设计单位:注册登陆查看
设计师:注册登陆查看
联系方式:注册登陆查看
招标进展:
主要产品 建筑面积约85171㎡,新建第三代半导体碳化硅衬底产业化基地,新建满足400台单晶生长炉生长.加工.清洗和检测的厂房1座并建立配套的动力站.科研楼等配套用房
项目简介
本项目位于北京市大兴区新城东南片0605-022c地块,由北京天科合达半导体股份有限公司投资建设。建筑面积约85171㎡,新建第三代半导体碳化硅衬底产业化基地,新建满足400台单晶生长炉生长.加工.清洗和检测的厂房1座并建立配套的动力站.科研楼等配套用房
项目投资额199234.5万元。
进展动态
2023-11-06 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(方案设计、初步设计、施工图设计)招标公告
2023-09-20 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(方案设计、初步设计、施工图设计)
2022-01-30 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目列入北京市2022年重点工程计划
业主方及其联系方式 注册登陆后查看
地址:注册登陆查看
项目负责人:注册登陆查看
联系方式:注册登陆查看
设计单位:注册登陆查看
设计师:注册登陆查看
联系方式:注册登陆查看
招标进展:
- 2024-09-15 已在中国电力招标网挂网
- 2024-09-13 已在中国电力招标网挂网
- 2024-09-09 已在中国电力招标网挂网
- 2024-08-13 已在中国电力招标网挂网
- 2024-08-09 已在中国电力招标网挂网
- 2024-08-01 已在中国电力招标网挂网
- 2024-08-01 已在中国电力招标网挂网
- 2024-08-01 已在中国电力招标网挂网
- 2024-08-01 已在中国电力招标网挂网
- 2024-08-01 已在中国电力招标网挂网
本项目为的专属特权,欲获取“重点项目”权限,请点击注册/登录,请与您的业务经理联系升级成为尊享理事会员。
联系人:李静
手机:13683174576 (欢迎拨打手机/微信同号)
邮箱:lijing@dlzb.com
电话:010-53605601
QQ:484924908
手机:13683174576 (欢迎拨打手机/微信同号)
邮箱:lijing@dlzb.com
电话:010-53605601
QQ:484924908