项目信息： 建设内容
主要产品     年产24万片碳化硅MOSFET功率器件研发生产基地，项目总规划用地面积约50亩，其中一期用地面积为38.8065亩（25871平方米），总建筑面积为45835平方米。新增地上建筑面积为42335平方米，地下面积为3500平方米。
项目简介
       本项目位于浙江省杭州市富阳区北至元书街，南至广源大道，东至震龙庙路，西至四季坞路，由浙江芯科半导体有限公司投资，建设年产24万片碳化硅MOSFET功率器件研发生产基地，项目总规划用地面积约50亩，其中一期用地面积为38.8065亩（25871平方米），总建筑面积为45835平方米。新增地上建筑面积为42335平方米，地下面积为3500平方米。容积率为2.54，预计可实现年产值12亿元，年缴纳税收6000万元。
      项目投资额100000万元。
进展动态
        2023-08-04    项目备案已批复，项目代码：2305-330111-04-01-634520。
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招标进展：

• 2023-08-14浙江芯科半导体有限公司建设1亿颗碳化硅MOSFET功率芯片生产线项项目已在中国电力招标网挂网