项目信息： 建设内容
主要产品     用地21.909 亩，新建中试和研发厂房、动力配套厂房及其他辅助设施用房，利用公司已掌握的6英寸碳化硅晶体生长和抛光衬底加工成套技术，通过购置碳化硅单晶炉、线切机、抛光机等国内外先进成套设备，形成功率器件用6英寸碳化硅晶体生长，抛光衬底片研发能力，项目新建6/8英寸碳化硅衬底中试研发基地，建设完成后将形成功率器件用6/8 英寸碳化硅抛光衬底研发、中试能力。
项目简介
       本项目位于浙江省衢州市智造新城东港片区H-09-1#地块，由乾晶半导体（衢州）有限公司投资建设。用地21.909 亩，新建中试和研发厂房、动力配套厂房及其他辅助设施用房，利用公司已掌握的6英寸碳化硅晶体生长和抛光衬底加工成套技术，通过购置碳化硅单晶炉、线切机、抛光机等国内外先进成套设备，形成功率器件用6英寸碳化硅晶体生长，抛光衬底片研发能力，项目新建6/8英寸碳化硅衬底中试研发基地，建设完成后将形成功率器件用6/8 英寸碳化硅抛光衬底研发、中试能力。
      项目投资额22000万元。
进展动态
        2023-06-19    "衢州市生态环境局智造新城分局关于2023年6月19日作出关于乾晶半导体（衢州）有限公司功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目环境影响报告表审批决定的公告
        2023-05-30    "衢州市生态环境局智造新城分局关于2023年5月30日拟对乾晶半导体（衢州）有限公司功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目环境影响报告表作出批准意见的公告
        2023-05-30    功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目
        2023-05-25    "衢州市生态环境局智造新城分局关于2023年5月25日受理乾晶半导体（衢州）有限公司功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目环境影响报告表的公告
        2023-05-25    功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目
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招标进展：