项目信息： 建设内容
主要产品     该项目拟新建一条2英寸功率率器件生产线。项目用地面积91298.58平方米（约137亩），占地面积37685.57平方米，总建筑面积106711.28平方米（地上建筑面积104906.87平方米，地下建筑面积2676.8平方米），其中办公楼建筑面积6137.83平方米，1＃生产厂房21084.92平方米，2＃生产厂房11410.82平方米，3＃生产厂房44776.76平方米，辅助厂房5176.12平方米，生活服务楼5537.52平方米，倒班宿舍3768.92平方米及其他配套房屋及市政附属设施。该项目资金来源为我公司自筹，项目建成后年耗电量不超过500万度，年耗能不超过1000吨标煤。
项目简介
       本项目位于江西省上饶市万年县，由江西万年晶半导体有限公司投资建设。该项目拟新建一条2英寸功率率器件生产线。项目用地面积91298.58平方米（约137亩），占地面积37685.57平方米，总建筑面积106711.28平方米（地上建筑面积104906.87平方米，地下建筑面积2676.8平方米），其中办公楼建筑面积6137.83平方米，1＃生产厂房21084.92平方米，2＃生产厂房11410.82平方米，3＃生产厂房44776.76平方米，辅助厂房5176.12平方米，生活服务楼5537.52平方米，倒班宿舍3768.92平方米及其他配套房屋及市政附属设施。该项目资金来源为我公司自筹，项目建成后年耗电量不超过500万度，年耗能不超过1000吨标煤。
      项目投资额250000万元。
进展动态
        2023-02-13    江西万年晶半导体有限公司年产20万片GaN功率器件晶圆项目于2023-02-13完成备案
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招标进展：