项目信息:
建设内容
主要产品 总用地102亩,主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线,其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。建成满产后,预计可实现年产值16.8亿元,上缴税收1.5亿元。
项目简介
本项目位于浙江省丽水市莲都区,由浙江旺荣半导体有限公司投资建设。总用地102亩,主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线,其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。建成满产后,预计可实现年产值16.8亿元,上缴税收1.5亿元。
项目投资额238000万元。
进展动态
2022-05-12 2022年项目主要形象进度计划为开工建设。2022年计划投资50000万元。
业主方及其联系方式 注册登陆后查看
地址:注册登陆查看
项目负责人:注册登陆查看
联系方式:注册登陆查看
设计单位:注册登陆查看
设计师:注册登陆查看
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招标进展:
主要产品 总用地102亩,主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线,其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。建成满产后,预计可实现年产值16.8亿元,上缴税收1.5亿元。
项目简介
本项目位于浙江省丽水市莲都区,由浙江旺荣半导体有限公司投资建设。总用地102亩,主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线,其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。建成满产后,预计可实现年产值16.8亿元,上缴税收1.5亿元。
项目投资额238000万元。
进展动态
2022-05-12 2022年项目主要形象进度计划为开工建设。2022年计划投资50000万元。
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联系人:程丹
手机:18614028112 (欢迎拨打手机/微信同号)
邮箱:chengdan@dlzb.com
电话:400-111-8900
QQ:3935764291
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